长鑫科技在近期的财报发布后，透露了公司的新进展。基于其4F²垂直沟道DRAM架构，长鑫已顺利完成第六代工艺技术平台的工程样片验证。这一验证标志着该平台的核心性能指标在真实晶圆上达到了设计目标，并且在客户端验证通过后，将进入规模化生产阶段。
长鑫在学术论坛上曾介绍过其4F²架构，并指出该架构在同等面积下可集成更多晶体管，有助于突破DRAM工艺微缩的瓶颈。然而，此技术路线引发了一些争议。美光科技的高管Scott DeBoer近期表示，美光公司将坚持6F²路线并开发3D DRAM，认为4F²在复杂度和成本上存在不足，经过二十年的研究，他们认为这一方向缺乏可行的微缩路径和实际收益。
对此，长鑫科技在交流会上予以回应，强调DRAM位密度的提升是复杂的系统工程，涉及多个因素的权衡。公司表示，市场上不同的技术选择反映了厂商在面对先进工艺微缩时的普遍挑战，并且不同架构在成本效益上存在差异化表现。长鑫认为，各存储厂商的战略选择基于其技术积累和资源配置，值得尊重。此外，长鑫科技也提到，虽然前瞻技术带来的效益无法在短期内完全转化为利润，但这乃是构建中长期竞争力的基础。
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